AI 存储芯片热潮有了全新投资标的，而华尔街已迅速入局。

　　朗希尔存储芯片 ETF（代码 DRAM）成立尚不足一个月 ，但已成为交易员布局该赛道的首选工具 。截至周三
，这只 ETF 仅上市交易 24 个交易日，涨幅已达约 70% ，其中 14 个交易日创下盘中历史新高
。

　　该产品的推出
，被业内拿来与近年 ETF 行业最爆款的几只产品相提并论。

　　彭博 ETF 分析师埃里克・巴尔丘纳斯将 DRAM 称作主题股票 ETF 中的 IBIT，类比贝莱德现货比特币 ETF（IBIT）—— 意指这只小众赛道 ETF 罕见地一经推出便引爆市场 、成为现象级产品 。该 ETF 于 4 月初上市 ，截至周二规模已达约 33 亿美元
。

　　并非 DRAM 催生了存储芯片行情
，它只是为早已直线飙升的板块行情提供了标准化投资载体。

　　彭博全球存储芯片指数自 2025 年初以来累计涨幅近 680% 。过去二十年存储芯片行业的周期波动，在 AI 时代这轮大涨行情面前已显得微不足道
。存储类个股向来具备强周期性 ，而本轮上涨已使其成为人工智能产业链中涨幅最为迅猛的板块之一。

　　DRAM 并非宽泛的半导体指数基金，其重仓标的全部聚焦存储芯片产业链
，前几大重仓股包括：美光科技
、SK 海力士、三星电子 、闪迪
、希捷科技、西部数据 。三星也刚刚跻身万亿市值上市公司行列。

　　该 ETF 的核心特点就是高度集中持仓：美光 、SK 海力士
、三星三大巨头合计占基金权重近 70%，前七大重仓股占比约 90%
。

　　这也在一定程度上解决了美国投资者的实操难题 ，但仍存在相应风险。三星与 SK 海力士是存储芯片赛道的核心标的
，却都没有便捷的美股存托凭证可供普通投资者买入 。SK 海力士虽已递交美股上市申请，而 DRAM 重仓海外企业的持仓结构 ，也让投资者同时面临流动性、汇率及交易时段错位的额外风险
。

　　对于芯片投资者而言
，如今的选择核心在于持仓集中度偏好。DRAM 是纯粹的存储芯片专属组合，能最直接布局存储赛道 ，但一旦行情反转
，容错空间也更小 。

　　美光是美股上市标的中最纯正的大型存储芯片龙头；闪迪 、西部数据、希捷科技偏向存储硬盘相关业务；而范埃克半导体 ETF（SMH）
、安硕半导体 ETF（SOXX）等宽基半导体 ETF，虽然分散度更高 ，但对存储芯片赛道的直接敞口偏低
。

　　这只 ETF 上市时间尚短
，还无法套用常规技术分析体系，甚至连可用参考的 20 日均线都尚未成型 ，现阶段只需紧盯上市以来的上涨趋势线即可。